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Leistungselektronik-to-go

Modulare, PCB-integrierte GaN-auf-Si-Halbbrückenschaltung

Das Fraunhofer IAF hat monolithisch integrierte GaN-Power-ICs mittels Leiterplatten-Einbettung als Halbbrückenschaltung inklusive Gate- und Zwischenkreiskondensatoren integriert. Das Ergebnis ist ein modular einsetzbarer, kompakter, effizienter und integrierter 600-V-Spannungswandler.

IMEC und Globalfoundries

Analoger KI-Chip mit außerordentlichen Leistungsdaten

Um aufwändige Datentransfers im Rahmen des »Internets der Dinge« in die »Cloud« zu...

Zukunftsregion Digitale Gesundheit

Roche gewinnt Ausschreibung des Bundesgesundheitsministeriums

mySugr-App ist Teil der Initiative »Zukunftsregion Digitale Gesundheit« des...

Implantate & Prothesen

Vielkanaliges Cochlea-Implantaten mit Mikro-Leuchtdioden

Forscher kombinieren erstmals die Gentherapie in der Hörschnecke mit optischen...

Halbleiter

Akkulade-ICs Typen BQ25790 und BQ25792 von TI

Buck/Boost-Akkulader bieten 50 % mehr Leistungsdichte und ermöglichen dreimal...

SAP

Unexpectedly strong second Quarter

Europe's largest software manufacturer SAP has had an unexpectedly strong second...

Electroshock against Corona

Clothing disinfects itself

Murata and Teijin Frontier have developed a piezoelectric substance that can kill...

"CoolSiC" makes it possible

400 kW station charges electric cars in 10 minutes

Ingeteam's new 400 kW charging station uses Infineon's "CoolSiC" MOSFETS to charge...

Neues Sonderheft der Markt&Technik

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»CoolSiC« macht´s möglich

400-kW-Station lädt E-Autos in 10 Minuten

Die neue 400-kW-Ladestation von Ingeteam nutzt die »CoolSiC«-MOSFETS von Infineon, um...